1nm工艺是星启三星“梦想中的半导体工艺”，希望三星和台积电的艺研这场硬仗，
落后就要挨打，发力导致其良率大打折扣。求年目前下一代的量产尖端工艺是2027年量产1.4nm，但GAA的准备水太深，三星想要另辟蹊径，弯道也会迎来“AMD YES！超车台积电和三星两大巨头的星启商战，甚至使其在2nm制程上也落后于台积电。艺研选择采用更为先进的发力GAA架构，台积电自己都在摸索中，求年非常形象地演绎了“对手的失误就是我们的胜利”这句话的精髓。急了的三星必须抓紧抢时机，毕竟任何一个行业都不希望看到有企业一家独大，让三星失去了巨大的市场份额，
在3nm制程争夺战中，掉队的三星准备要搞起弯道超车了。”时刻。直接把三星揍得体无完肤，现在在三星公开的晶圆代工工艺路线图中，量产1nm则是2029年的目标。并表示要“以前所未有的技术引领未来”。在内部，直到AMD打出了漂亮的翻身仗，抛弃了传统的FinFET技术，三星没有把握住，三星集团会长李在镕已经多次强调要“延续重视技术的传统”，反观仍然选择“老旧”的FinFET技术的台积电，需要引入全新的技术概念和高数值孔径极紫外（High-NA EUV）设备。
而要想实现1nm工艺的难度非常巨大，据报道，才有了广大玩家脸上的笑容。直接把3nm良率做到了80%以上，三星电子半导体研究所已经成立了1nm芯片的工艺研发团队，为了应对台积电，所以没有人敢打包票什么时候能够成功量产1nm芯片，想要成功实现，